ჩინური
IME ჩინეთი 2025

პროდუქტები

50khz-67Ghz 1.85 მმ ფართოზოლოვანი გადახრის ჩასადები

ტიპი: LKBT-BT67A სიხშირე: 50KHz-67Ghz

ჩასმის დანაკარგი: 1.75dB ძაბვა: 16V

მუდმივი დენი: 0.4A VSWR: ≤1.8

კონექტორი: 1.85 მმ წონა: 40 გ

სიმძლავრე: 1W

50khz-67Ghz 1.85 მმ ფართოზოლოვანი გადახრის ჩასადები


პროდუქტის დეტალები

პროდუქტის ტეგები

ლიდერი-მვ შესავალი 50khz-67Ghz 1.85 მმ ფართოზოლოვანი Bias Tee-ში

Leader-MW 50 kHz – 67 GHz ფართოზოლოვანი Bias Tee არის ზუსტი, ულტრაფართოზოლოვანი პასიური კომპონენტი, რომელიც შექმნილია აქტიური RF სიგნალის გზაზე მუდმივი ძაბვის ან დენის შესაყვანად მაღალი სიხშირის მუშაობის ან სიგნალის მთლიანობის კომპრომისის გარეშე.

RF პორტებზე მაღალი სიხშირის 1.85 მმ კოაქსიალური კონექტორებითა და სპეციალური DC Bias პორტით (როგორც წესი, SMA ან შედუღების პინით), ეს მოწყობილობა მუშაობს ფართო სიხშირის დიაპაზონში 50 kHz**-დან 67 GHz-მდე. მას აქვს განსაკუთრებით დაბალი ჩასმის დანაკარგი, მაღალი RF-დან DC პორტის იზოლაცია და დაბალი VSWR მთელი თავისი სამუშაო დიაპაზონის განმავლობაში, რაც ხელს უშლის არასასურველ DC გაჟონვას მგრძნობიარე RF სატესტო აღჭურვილობაში და ამავდროულად თრგუნავს RF სიგნალის დეგრადაციას.

მისი მყარი კოაქსიალური კონსტრუქცია უზრუნველყოფს შესანიშნავ ეკრანირებას, თერმულ სტაბილურობას და ჯგუფური დაყოვნების მინიმალურ ვარიაციას, რაც მას იდეალურს ხდის ციფრული და ანალოგური მოთხოვნების მქონე აპლიკაციებისთვის. ტიპიური მუდმივი დენის დამუშავების შესაძლებლობები მხარს უჭერს 0.4A-მდე უწყვეტ დენებს და 16 V-მდე ძაბვას (დამოკიდებულია კონკრეტული მოდელის კონფიგურაციაზე).

ძირითადი აპლიკაციები:
* მაღალსიჩქარიანი ოპტიკური მოდულატორები, ფოტოდეტექტორები და გადამცემ-მიმღებები (PAM4, 400G/800G).
* აქტიური RF/mmWave გამაძლიერებლის მიკერძოება (GaAs/GaN MMICs).
* ნახევარგამტარული დახასიათება და მაღალსიჩქარიანი იმპულსური/ციფრული ტესტირება.
* ფართოზოლოვანი ინსტრუმენტაცია, რადარი და 5G/6G მილიმეტრიანი ტალღის კვლევითი სისტემები.

ლიდერი-მვ სპეციფიკაცია

LKBT-BT67A, 50khz-67Ghz 1.85 მმ ფართოზოლოვანი გადახრის ჩასადები

ელექტრო მახასიათებლები:
ნივთი

მდგომარეობა

მინ.

ტიპი.

მაქს.

ერთეულები

სიხშირის დიაპაზონი

-

0.05

-

67000

MHz

ნომინალური წინაღობა

-

-

50

-

Ω

ჩასმის დაკარგვა

50KHz~67GHz

-

1.5

1.75

dB

VSWR

RF პორტი

50KHz~67GHz

-

1.3

1.8

:1

RF&DC პორტი

50 კჰც~120 გჰც

-

1.3

1.8

:1

ოპერაციული RF შეყვანის სიმძლავრე

50KHz~67GHz

-

-

32

დბმ

მუდმივი დენის წინააღმდეგობა

DC-დან RF&DC პორტში

-

3.1

-

Ω

მუდმივი ძაბვა

-

-

-

16

V

მუდმივი დენი

-

-

-

0.4

A

 

ლიდერი-მვ გარემოსდაცვითი სპეციფიკაციები
ოპერაციული ტემპერატურა -20ºC~+60ºC
შენახვის ტემპერატურა -50ºC~+85ºC
ტენიანობა 100% RH 35ºc, 95% RH 40ºc
ლიდერი-მვ მექანიკური სპეციფიკაციები

ნივთი

სპეც.

ერთეულები

RF/RF&DCკონექტორები

1.85-მამრობითი/1.85-მდედრობითი

-

DC კონექტორები

SMA-მდედრობითი

-

ფიზიკური ზომები (სიგრძე*სიგანე*სიმაღლე)

40 * 13 * 13

mm

წმინდა წონა

≈44

g

მასალა

ალუმინის შენადნობი და სპილენძი

-

ზედაპირის დასრულება

გამტარი დაჟანგვა და მოოქროვილი სპილენძი

-

ფერი

ალუმინის ფერი და ოქროსფერი

-

 

ლიდერი-მვ ინტერფეისის ინფორმაცია

ინტერფეისის განმარტება:

არა.

ფუნქცია

აღწერა

1

რადიოსიხშირული პორტი

RF სიგნალის შეყვანის პორტი

2

RF&DC პორტი

RF სიგნალი და DC გამომავალი პორტი

3

DC პორტი

DC შეყვანის პორტი

ლიდერი-მვ კონტურის ნახაზი

კონტურის ნახაზი:

ყველა ზომა მმ-ში

კონტურის ტოლერანტობა ± 0.5 (0.02)

სამონტაჟო ხვრელების ტოლერანტობა ±0.2 (0.008)

ყველა კონექტორი: 1.85 მმ

图片1
图片2
图片3
图片4
ლიდერი-მვ ტესტის მონაცემები
დ1
დ3
დ2
დ4
დ5
დ7
დ6
დ8
დ9
ლიდერი-მვ მიწოდება
მიწოდება
ლიდერი-მვ აპლიკაცია
აპლიკაცია
იინგიონგი

  • წინა:
  • შემდეგი: